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Typical Electrical Characteristics (continued)
1.1
1.08
1.06
I D = -250μA
10
5
1
V GS = 0V
J
1.04
1.02
0.5
0.1
T = 125°C
25°C
-55°C
1
0.98
0.96
0.01
0.94
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
1000
10
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature .
800
I D = -3.4A
V DS = -10V
-20V
500
300
C iss
8
6
-15V
200
C oss
4
100
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
2
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0
0
2
4
6
8
10
12
6
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
5
V DS = -15V
T J = -55°C
25°C
4
125°C
3
2
1
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
I D
, DRAIN CURRENT (A)
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
NDS9400A.SAM
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